第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，其禁带宽度明显高于前两代，被广泛应用于高温、高功率、高压、高频等大功率领域。
近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场：SiC元件已用于汽车逆变器，GaN快速充电器也大量上市。
未来，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。
据统计，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金，CAGR约51%。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。
碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，CAGR达44%。目前国内外企业都在纷纷大力布局碳化硅，产业规模持续大增。
政策催化：顶层政策长期加持，助力三代半导体弯道超车
自特朗普时期以来，美国发动了一系列针对中国科技企业的打压措施，滥用国家力量，表现出赤裸裸的经济和科技霸凌，随后中国政府出台了一系列鼓励政策，加速我国在半导体“卡脖子”领域的国产替代化。
第三代半导体是后摩尔时代提升集成电路性能的重要半导体材料，广泛应用在5G、新能源车等国家重点发展的新兴产业领域，目前国内外技术水平差距正在缩小，政策推动下有望实现弯道超车。
第三代半导体SiC产业链分布图
第三代半导体概念的个股名单
